Повышение напряжения питания ядра обычно позволяет улучшить разгонный потенциал процессора, но каждое семейство процессоров имеет некоторый безопасный предел напряжения, по превышении которого производитель уже не берётся гарантировать жизнеспособность процессора. Грубо говоря, даже незначительное превышение напряжения над номиналом не приветствуется производителем, но реальный "запас прочности" у процессоров обычно вполне достаточен для экспериментов с разгоном.
Сайт Nordic Hardware выразил свою точку зрения на проблему разгона процессоров поколения Nehalem. По словам наши коллег, процессоры Bloomfield будут иметь синхронизированные напряжения питания ядра и встроенного контроллера памяти, поэтому чрезмерный разгон памяти с повышением напряжения может быть губительным для процессора. Превышение напряжения 1.8 В чревато постепенной деградацией процессора вплоть до полного выхода из строя. "Смертельной дозой" для процессоров Nehalem может стать напряжение около 2.0 В.
Проблема заключается в том, что работающие на высоких частотах модули DDR-3 обычно имеют высокие номинальные напряжения. Производители памяти будут вынуждены предлагать специально для платформы Nehalem модули DDR-3 с высокими частотами и низкими напряжениями питания. Коллеги сообщают, что для процессоров Nehalem с точки зрения быстродействия в реальных приложениях будут важнее частоты памяти, а не тайминги. Портрет идеального модуля памяти для Nehalem уже отчётливо виден: это продукт с низким напряжением питания, ослабленными таймингами и высокой частотой.
На практике, как сообщает сайт Nordic Hardware, уже удалось разогнать модули Corsair типа DDR3-1333 до режима DDR3-1800 при напряжении 1.7 В. Надеемся, что обо всех нюансах разгона процессоров Bloomfield мы узнаем ещё до официального анонса.